DB52T 861-2013 2CB003 型硅雪崩整流二极管详细规范 20页

ICS31.080.10L41DB52贵州省地方标准DB52/T861—20132CB003型硅雪崩整流二极管详细规范Detailspecificationforsiliconavalancherectifierdiodeoftype2CB0032013-12-06发布2014-02-01实施贵州省质量技术监督局发布\n\nDB52/T861—2013目次前言................................................................................II1范围..............................................................................12规范性引用文件....................................................................13术语、符号及型号命名..............................................................14技术要求..........................................................................15质量一致性检验....................................................................36标志..............................................................................97订货资料.........................................................................108包装、贮存和运输.................................................................109使用要求.........................................................................10附录A（规范性附录）反向不重复流通电流IRSM测试方法................................12I\n\n学兔兔www.bzfxw.comDB52/T861—2013前言本标准按GB/T1.1—2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。请注意；本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由贵州省机械电子产品质量监督检验院、中国振华集团永光电子有限公司提出。本标准由贵州质量技术监督局归口。本标准起草单位：贵州省机械电子产品质量监督检验院、中国振华集团永光电子有限公司。本标准主要起草人：邹盛琳、江涛、袁锟、曹珩、孟勤、章俊华、龚洪宾、李钢、杨朝辉、雍萍。本标准附录A是规范性附录。本标准首次发布。II\n\nDB52/T861—20132CB003型硅雪崩整流二极管详细规范1范围本标准规定了2CB003型硅雪崩整流二极管（以下简称器件）的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、贮存、运输。本标准适用于器件的研发、生产、检验和使用。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T249半导体分立器件型号命名方法GB/T2423.3电工电子产品基本环境试验第2部分：试验方法试验Cab:恒定湿GB/T4023半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管GB/T4589.1半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范GB/T4937.1半导器体器件机械和气候试验方法第1部分：总则GB/T4937.2半导器体器件机械和气候试验方法第2部分：低气压GB/T4937.3半导器体器件机械和气候试验方法第3部分：外部目检GB/T4937.4半导器体器件机械和气候试验方法第4部分：强加速稳态温热试验（HAST）GB/T6571半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管GB/T7581半导体分立器件外形尺寸GB/T11499半导体分立器件文字符号GB/T12560半导体器件分立器件分规范3术语、符号及型号命名3.1GB/T11499中的术语和符号适用于本文件。3.2本标准中的型号命名是按GB/T249中的规定。4技术要求4.1封装外形2CB003型硅雪崩整流二极管采用GB/T7581中的C1-01C(DO-5)型金属封装（见图1）。1\nDB52/T861—2013尺寸C1-01C(DO-5)符号minnommaxA－－12.70ΦD－－20.16ΦD1－－16.94ΦD2－－13.50E－17.00－F2.93－5.08J－－25.40ΦM－－＜M6外径N10.72－12.70N1－－2.26ΦT3.56－4.40W－M6－H2.20－3.00图1外形尺寸4.2质量评定类别质量评定类别：国标Ⅱ类。4.3最大额定值和主要电特性4.3.1最大额定值最大额定值见表1。表1最大额定值a参数VRWMIOIFSMIRSMTOPTstgTC≤25℃TA=25℃TA=25℃tW=10mstW=10msVAAA℃℃型号2CB003167049075-55～25-55～50注：当TC≥25℃时，按0.56A/℃的速率线性降额。2\nDB52/T861—20134.3.2主要电特性主要电特性（除非另有规定，TA=25℃）见表2。表2主要电特性参数及测试V(BR)1VFM1VFM3IR1IR2条件I(BR)=10mAtW=1msTA=-55℃VR=16VTA=125℃D≤2%tW=1msVR=16VIFM=70AD≤2%IFM=70A型号VVVμAμA最小值最大值最大值最大值最大值最大值2CB003A19202CB003B20211.051.255502CB003C21222CB003D22235质量一致性检验5.1质量一致性检验中的试验方法和检验规则均GB4589.1和GB12560以及本规范中A组、B组、C组的规定进行。5.2A组检验按照本标准表3的规定进行，B组检验按照本标准表4的规定进行，C组检验按照本标准表5的规定进行。3\nDB52/T861—2013表3A组—逐批检验要求条件检验或试验符号引用标准除非另有规定，TA=25℃极限单评定位最小值最大值LTPDA1分组GB/T4589.15外部目检4.3.1.1A2a分组极性颠倒0.7不工作器件IFM=70AVF＞10VFM1tW=1msD≤2%VR=16VIR＞100IR1A2b分组3击穿电压V（BR）1GB/T4023tW=1msD≤2%VⅣ-1.3I（BR）=10mA2CB003A19202CB003B20212CB003C21222CB003D2223反向漏电流IR1GB/T4023VRWM=16V5μAⅣ-1.4.1正向峰值电压VFM1GB/T4023tW=1msD≤2%1.05VⅣ-1.2.3IFM=70A注：所有试验都是非破坏性的（GB/T4589.1中3.6.6）。4\nDB52/T861—2013表4B组—逐批检验要求条件试验符号引用标准极限单除非另有规定，TA=25℃LTPD最小值最大值位B1分组GB/T4589.115见本规范图2中ФD、ФT、J和W尺寸4.3.2B3分组15引出端强度GB/T4937.14力矩：1.25N·m(转矩)时间：10s～15s方法1焊槽法B4分组GB/T4937.21温度：235℃±5℃润湿良好15可焊性时间：2s±0.5sB5分组快速温度变化后GB/T4937.25两箱法+20测试：TA=-55℃TB=1502℃0-次数:10次、保持时间：15min同A2b转换时间：2min～3min击穿电压V（BR）1同A2b同A2b同A2b同A2bV正向峰值电压VFM1同A2b同A2b同A2bV反向漏电流测试后IR1同A2b同A2bμA20进行：密封细检漏GB/T4937.8加压：310kPat=5h-13R1≤5×10Pa·cm/s粗检漏加压：517kPat=2hB6分组GB/T4937.10方向：X1、Y1、Z1方向，非工作状态冲击各冲击3次2峰值加速幅度：14700m/s持续时间：0.5ms波形：半正弦波GB/T4937.3620方向：Y1，保持时间：1min恒定加速度2同A2b加速度：98000m/s同A2b最后测试VFM1同A2b同A2bV正向峰值电压IR1同A2b同A2bμA反向漏电流5\nDB52/T861—2013表4B组—逐批（续）检验要求条件极限试验符号引用标准除非另有规定，TA=25℃单LTPD位最小值最大值B8分组电耐久性GB/T40231、正向偏置试验+0Ⅴ-2IO=40ATC=93℃t=168h-12...5参考散热条件：150mm×150mm×4mm铝板2、高温反偏TA=150℃10外加偏置电压：VR=12.8Vt=168h最后测试正向峰值电压VFM同A2b同A2b1.1USLV反向漏电流IR同A2b同A2b2USLμAB9分组高温贮存GB/T4937.6TA=150℃±2℃t=168h最后测试同A2b正向峰值电压VFM同A2b同A2b1.1USLV15反向漏电流IR同A2b2USLμACRRL分组B3、B4、B5、B8、B9分组属性资料注1：LSL=规范下限值；注2：USL=规范上限值；注3：只有标明（D）的试验是破坏性的（GB/T4589.1中3.6.6）。6\nDB52/T861—2013表5C组—周期条件检验要求试验符号引用标准除非另有规定极限单LTPDTA=25℃最小值最大值位C1分组GB/T4589.130见图2中全部尺寸尺寸4.3.2C2b分组15高温工作反向漏电流IR2GB4023TA=125℃50μAⅣ-1.4.1VR=16V低温工作正向峰值电压VFM3GB4023TA=-55℃、IFM=70A1.25VⅣ-1.2.3tW=1msD≤2%C2c分组15正向不重复浪涌电IFSMGB/T4023IFSM=490A流Ⅳ-3.1tp=10msD≤1%次数：1次反向不重复浪涌电IRSM附录AIRSM=75A、tW=10msD≤1%流次数：1次最后测试同A2b击穿电压V（BR）1同A2b同A2b同A2b同A2bV正向峰值电压VFM1同A2b同A2b同A2bV反向漏电流IR1同A2b同A2bμAC3分组15引出端强度GB/T4937.14力矩：1.25N·m（转矩）时间：10s～15sC4分组15耐焊接热（D）GB/T4937.15方法1A温度：260℃±5℃时间：10s±1s最后测试同A2b击穿电压V（BR）1同A2b同A2b同A2b同A2bV正向峰值电压VFM1同A2b同A2b同A2bV反向漏电流IR1同A2b同A2bμA7\nDB52/T861—2013表5C组—周期（续）检验要求条件试验符号引用标准极限单除非另有规定，TA=25℃LTPD最小值最大值位C5分组10快速温度变化后GB/T4937.25两箱法+20测试：TA=-55℃TB=150℃0-5次数:10次、保持时间：15min同A2b转换时间：2min～3min同A2b击穿电压V（BR）1同A2b同A2b同A2b同A2bV正向峰值电压VFM1同A2b同A2bV反向漏电流测试IR1同A2b同A2bμA后进行：密封GB/T4937.8细检漏加压：310KPa、t=5h-13R1≤5×10Pa·cm/s粗检漏加压：517KPat=2hC6分组10冲击GB/T4937.10方向：X1、Y1、Z1，非工作状态各冲击3次2峰值加速幅度：14700m/s持续时间：0.5ms波形：半正弦波GB/T4937.36恒定加速度方向：Y1，保持时间：1min2同A2b加速度：98000m/s最后测试同A2b击穿电压V（BR）1同A2b同A2b同A2bV正向峰值电压VFM1同A2b同A2bV反向漏电流IR1同A2b同A2bμAC7分组20交变湿热GB/T2423.3高温温度：55℃相对湿度：≥85%试验周期：1d恢复2h以上，24h内测完最后测试击穿电压V（BR）1同A2b同A2b同A2b同A2bV正向峰值电压VFM1同A2b同A2b同A2bV反向漏电流IR1同A2b同A2b同A2bμA8\nDB52/T861—2013表5C组—周期（续）条件检验要求检验或试验符号引用标准除非另有规定极限单LTPDTA=25℃最小值最大值位C8分组10电耐久性GB/T40231、正向偏置试验+0Ⅴ-2IO=40ATC=93℃t＝1000h-12.5参考散热条件：150mm×150mm×4mm铝板2、高温反偏TA=150℃外加偏置电压：VR=12.8Vt=1000h最后测试正向峰值电压VFM同A2b同A2b1.1USLV反向漏电流IR同A2b同A2b2USLμAC9分组15高温贮存(D)GB/T4937.6Tstg(max)=150℃±2℃t=1000h最后测试同A2b正向峰值电压VFM同A2b同A2b1.1USLV反向漏电流IR同A2b2USLμAC11分组30标志耐久性GB/T4937.9方法2CRRL分组C4、C7、C8和C9分组属性资料注1：LSL=规范下限值；注2：USL=规范上限值；注3：只有标明（D）的试验是破坏性的（GB/T4589.1中3.6.6）。6标志6.1器件上的标志a)承制方商标；b)产品型号；c)*表示电压分档标志；d)极性标志。6.2包装盒上的标志a)器件名称型号和质量评定类别；9\nDB52/T861—2013b)承制方商标；c)检验批识别代码；d)其它。7订货资料a)型号；b)详细规范号；c)击穿电压范围（如果与本规范不一致）；d)质量评定类别。8包装、贮存和运输8.1包装器件采用防护包装，即防污、防腐、防潮包装。8.2贮存器件应贮存在温度-10℃～40℃和相对湿度不大于80%的干燥、通风、无腐蚀性气体影响的库房内。8.3运输器件运输时应有牢固包装箱，箱外应有符合规定的“小心轻放”、“防湿”等标志；装有器件的包装箱允许用汽车、火车、运输；运输中应避免雨、雪的直接淋袭和机械撞击。9使用要求9.1器件的最大额定值是指对器件能够安全使用的工作条件和环境条件的极限值；器件使用时，无论条件怎样恶劣，都不允许超过或瞬时超过规定的极限值。9.2为了有利于提高器件工作的可靠性，应考虑对器件的最大额定值参数进行降额使用或者选用最大额定值参数更高的器件。9.3电流—温度降额曲线图电流—温度降额曲线（见图2）10\nDB52/T861—2013图2电流—温度降额曲线9.4脉冲电流与脉冲时间的关系曲线图脉冲电流与脉冲时间的关系曲线（见图3）图3脉冲电流IP与脉冲时间的关系曲线11\nDB52/T861—2013AA附录A（规范性附录）反向不重复流通电流IRSM测试方法A.1目的本测试的目的是为了在规定条件下测量雪崩整流二极管的反向浪涌电流。A.2测试电原理图（见图A1）tr≤20%twtf≤20%tw(tw=规定的50%脉冲幅度上的平均脉冲宽度)图A.1反向浪涌电流测试电原理图反向浪涌电流波形说明：G—可调恒流源；S—延时电子开关；D—被测二极管。A.3测试步骤a)将环境温度控制到规定条件；b)调节可调恒流源G的输出电流达到规定值；c)启动延时电子开关S，延时规定的时间后自动断开。A.4规定条件a)壳温TC=25℃；b)反向浪涌电流：IRSM=75A；12\nDB52/T861—2013c)脉冲宽度tw=10ms。_________________________________13\nDB52/T861-2013