DB52T 860-2013 5KP 系列硅瞬态电压抑制二极管详细规范 20页

ICS31.080.10L41DB52贵州省地方标准DB52/T860—20135KP系列硅瞬态电压抑制二极管详细规范Detailspecificationforsilicontransientvoltagesupprossordiodeofseries5KP2013-12-06发布2014-02-01实施贵州省质量技术监督局发布\n\nDB52/T860—2013目次前言................................................................................II1范围..............................................................................12规范性引用文件....................................................................13符号和型号命名....................................................................14技术要求..........................................................................15质量一致性检验....................................................................36标志..............................................................................87订货资料..........................................................................98包装、贮存和运输..................................................................99使用注意事项......................................................................9附录A（规范性附录）最大箝位电压VCmax的测试方法...................................11I\n\n学兔兔www.bzfxw.comDB52/T860—2013前言本标准按GB/T1.1—2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。请注意：本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由贵州省机械电子产品质量监督检验院、中国振华集团永光电子有限公司提出。本标准由贵州质量技术监督局归口。本标准起草单位：贵州省机械电子产品质量监督检验院、中国振华集团永光电子有限公司。本标准主要起草人：邹盛琳、江涛、唐文斌、曹珩、孟勤、章俊华、龚洪宾、李钢、杨朝辉、易晶晶。本标准附录A是规范性附录。本标准首次发布。II\n\nDB52/T860—20135KP系列硅瞬态电压抑制二极管详细规范1范围本标准规定了5KP12、5KP16、5KP33、5KP51、5KP60、5KP78、5KP100、5KP180、5KP200型硅瞬态电压抑制二极管（以下简称器件）的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、贮存、运输。本标准适用于器件的研发、生产、检验和使用。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T2423.3电工电子产品基本环境试验规程试验Ca：恒定湿热试验方法GB/T4023半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管GB/T4589.1半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范GB/T4937半导体分立器件机械和气候试验方法GB/T6571半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管GB/T11499半导体分立器件文字符号GB/T12560半导体器件分立器件分规范3符号和型号命名3.15KP系列的型号命名由两部分组成，其含义为：a)5KP表示瞬态功率为5000W；b)5KP后面的阿拉伯数字表示其最大反向工作电压。3.2有关符号含义的说明PPR表示瞬态功率、PR表示稳态功率、IP表示脉冲峰值电流、IFSM表示浪涌电流、TOP表示工作温度、Tstg表示贮存温度、VBR表示击穿电压、IBR表示测试电流、IR1表示反向漏电流、VRWM表示反向工作电压、VC表示箝位电压、V（BR）3表示低温反向击穿电压、IZM表示稳态额定电流。4技术要求4.15KP系列硅瞬态电压抑制二极管采用YD2-16A型金属空腔封装，见图1。1\nDB52/T860—2013图15KP系列硅瞬态电压抑制二极管采用YD2-16A型金属空腔封装图说明：1一负极；2一正极。表1外形尺寸单位：毫米a符号Φb2ΦDΦD1GG1LL1L2min1.10————25.40—30.40YD2-16Amax1.308.501.801118.50—4.77—注：L2为引线弯曲成直角后器件安装的最小轴向长度。4.2质量评定类别质量评定类别：国标Ⅱ类。4.3最大额定值和主要电特性4.3.1最大额定值最大额定值见表2。表2最大额定值ab参数PPRPRIPIFSMTOPTstgTA=25℃TA=25℃tP=1ms型号tr=10µsWWAA℃℃5KP12、5KP16、5KP33、5KP51、见表2第4栏5KP60、5KP78、5KP100、5KP180、50003600-55～125-55～150中的值5KP200注1：tP=1ms、tr=10µs，峰值脉冲电流波形见附录A图A2。注2：当TA﹥25℃时，器件按0.024W/℃的速率线性降额。2\nDB52/T860—20134.3.2主要电特性主要电特性（除非另有规定，TA=25℃）见表3。表3电参数规范表123456电参数V﹙BR﹚1TIR1IR2A=125℃VCV﹙BR﹚3IZMTA=-55℃IZ=IBRIBRVRWMIPminmaxmaxmaxmaxminmax型号VVmAµAµAVVAVmA5KP1213.316.31101001222227121805KP1617.821.81101001628.8176161305KP3336.744.91101003359.08533665KP5156.769.31101005191.15551425KP6066.781.5110100601074760365KP7886.7106110100781393678285KP1001111361101001001792898.8225KP180200244110100注1：18032015178125KP20022227011010020035614197.6115质量一致性检验5.1质量一致性检验中的试验方法和检验规则均按GB4589.1和GB12560以及本规范中A组、B组、C组的规定进行。5.2A组检验按照本标准表4的规定进行，B组检验按照本标准表5的规定进行，C组检验按照本标准表6的规定进行。3\nDB52/T860—2013表4A组—逐批所有试验都是非破坏性的（GB/T4589.1中3.6.6）检验要求条件试验符号引用标准除非另有规定，极限单位LTPDTA=25℃最小值最大值A1分组5外部目检GB/T4589.14.3.1.1A2a分组0.7不工作器件VR=VRWM(VRWM见表2第3极性颠倒IR＞100IR1栏)A2b分组3击穿电压V（BR）1GB/T6571I（BR）=1mA见表2第见表2第VⅣ-2.1.2tw=300µs2栏2栏D≤2%反向漏电流IR1GB/T6571VR=VRWM10µAⅣ-2.4（VRWM见表2第3栏）7A3分组最大箝位电压VCmax本规范附录Atp=1ms波形见表2第VIP=表2第4栏的值4栏表5B组—逐批LSL=规范下限值；USL=规范上限值；只有标明（D）的试验是破坏性的（GB/T4589.1中3.6.6）。检验要求条件试验符号引用标准极限除非另有规定，TA=25℃单位LTPD最小值最大值B1分组15尺寸GB/T4589.1见本规范图1中ΦD、G、L、Φb24.3.2B3分组15引出端强度GB/T4937.14方法1无损坏弯曲（D）受试引线端：2F=10NB4分组15可焊性GB/T4937.21方法1焊槽法润湿良好温度：235℃±5℃t=2s±0.5s4\nDB52/T860—2013表5B组—逐批(续)检验要求条件试验符号引用标准极限除非另有规定，TA=25℃单位LTPD最小值最大值B5分组20快速温度变化GB/T4937.25两箱法+20后测试：TA=-550℃TB=150-2℃次数：10次、保持时间：15min转换时间：2min～3min击穿电压V（BR）1同A2b同A2b见表2第见表2V2栏第2栏反向漏电流测IR1同A2b同A2b10µA试后进行：密封a）细检漏加压：517kPat=4h-33GB/T4937.8R1≤5×10Pa·cm/sb）粗检漏加压：517kPat=2hB6分组20振动GB/T4937.12振动方向：X、Y持续扫描时间：3min2加速度：196m/s频率范围：100Hz～2000Hz每个轴向至少循环15次2恒定加速度GB/T4937.36在Y1方向上按196000m/s（20000g）试验，保持1min。最后测试击穿电压V（BR）1同A2b按A2b见表2第见表2V2栏第2栏反向漏电流IR1同A2b按A2b10µAB8分组10电耐久性1）在TA=25℃下，施加峰值脉冲电流IP，20次，每次脉冲间隔时间大于1min。2）在TA=125℃下，对器件施加0.9VRWM（VRWM见表2第3栏），t=168h。V最后测试击穿电压V（BR）同A2b按A2b见表2见表2µA第2栏第2栏反向漏电流IR同A2b按A2b2USL5\nDB52/T860—2013表5B组—逐批(续)检验要求条件试验符号引用标准除非另有规定，TA=25℃极限单位LTPDB9分组15高温贮存（D）GB/T4937.6Tstg(max)=150℃t=168h最后测试击穿电压V（BR）同A2b按A2b见表2见表2第V第2栏2栏反向漏电流IR同A2b按A2b2USLµACRRL分组B3、B4、B5、B6、B8、B9分组的属性资料表6C组—周期LSL=规范下限值；USL=规范上限值；只有标明（D）的试验是破坏性的（GB/T4589.1中3.6.6）。检验要求条件检验或试验符号引用标准极限单位除非另有规定，TA=25℃LTPD最小值最大值C1分组尺寸GB/T4589.1见图1，除L1、L2外全部尺寸304.3.2C2b分组15高温工作TA=125℃反向漏电流IR2GB/T6571VR=VRWM（VRWM见表2第3栏）100µAⅣ-1.1低温工作TA=-55℃击穿电压V（BR）3GB/T6571I（BR）=1mA见表2VⅣ-2.1.2tw=300µsD≤2%第5栏C2c分组15正向浪涌电流IFSMGB/T4023IFSM见表1Ⅳ-3.1tp=10msD≤1%次数：1次最后测试击穿电压V（BR）1同A2b同A2b见表2见表2V第2栏第2栏反向漏电流IR1同A2b同A2b10µAC3分组15引出端强度GB/T4937.14F=20N，t=10s±1s无损坏拉力（D）受试引线端数：26\nDB52/T860—2013表6C组—周期(续)条件检验要求检验或试验符号引用标准除非另有规定，TA=25℃极限单位LTPDC4分组15耐焊接热（D）GB/T4937.15方法1AT=260℃±5℃t=10s±1s引线浸入离器件本体2.5mm处最后测试击穿电压V（BR）1同A2b同A2b见表2第2见表2V栏第2栏反向漏电流IR1同A2b同A2b10µAC5分组20+20快速温度变化GB/T4937.25TA=-550℃TB=150-2℃后测试：次数：10次、保持时间：15min转换时间：2min～3min击穿电压V（BR）1同A2b同A2b见表2第2见表2V栏第2栏反向漏电流测IR1同A2b同A2b10µA试后进行：密封a）细检漏加压：517kPat=4h-33GB/T4937.8R1≤5×10Pa·cm/s加压：517kPa时间：2hb）粗检漏C6分组GB/T4937.12振动方向：X、Y20振动持续扫描时间：3min加速度：196m/s2频率范围：100Hz～2000Hz每个轴向至少循环15次GB/T4937.36恒定加速度在Y1方向上按196000m/s2（20000g）试验，保持1min。最后测试V（BR）同A2b见表2第2见表2V击穿电压1同A2b栏第2栏同A2b10µA反向漏电流IR1同A2bC7分组GB/T4937.5试验箱温度：40℃±2℃20稳态湿热（D）湿度：（93±2）%RH严酷度：10d恢复条件：在标准大气条件下恢复2h。24h内测完规定最后测试同A2b的参数。见表2第2见表2V击穿电压V（BR）栏第2栏1同A2b同A2b10µA反向电流IR1同A2b7\nDB52/T860—2013表6C组—周期(续)条件检验要求检验或试验符号引用标准除非另有规定，TA=25℃极限单位LTPDC7分组20稳态湿热（D）GB/T4937.5试验箱温度：40℃±2℃湿度：（93±2）%RH严酷度：10d恢复条件：在标准大气条件下恢复2h。24h内测完规定的参数。最后测试击穿电压V（BR）1同A2b同A2b见表2第见表2第V2栏2栏反向电流IR1同A2b同A2b10µAC8分组10电耐久性1）在TA=25℃下，施加峰值脉冲电流IP，20次，每次脉冲间隔时间大于1min。2）在TA=125℃下，对器件施加0.9VRWM（VRWM见表2第3栏），t=1000h。最后测试击穿电压V（BR）同A2b同A2b见表2第见表2第V2栏2栏反向漏电流IR同A2b同A2b2USLµAC9分组15高温贮存GB/T4937.6Tstg(max)=150℃（D）t=1000h最后测试同A2b击穿电压V（BR）同A2b见表2第见表2第V同A2b2栏2栏反向漏电流IR同A2b2USLµAC11分组GB/T4937.9方法230标志耐久性C3、C4、C5、C6、C8和C9分组的CRRL分组属性资料6标志6.1器件上的标志a)承制方商标；b)产品型号；c)*表示电压分档标志；d)极性标志。6.2包装盒上的标志a)器件名称型号和质量评定类别；b)承制方商标；8\nDB52/T860—2013c)检验批识别代码；d)其它。7订货资料a)型号；b)详细规范号；c)击穿电压范围（如果与本规范不一致）；d)质量评定类别。8包装、贮存和运输8.1包装器件采用防护包装，即防污、防腐、防潮包装。8.2贮存器件应贮存在温度-10℃～40℃和相对湿度不大于80%的干燥、通风、无腐蚀性气体影响的库房内。8.3运输器件运输时应有牢固包装箱，箱外应有符合规定的“小心轻放”、“防湿”等标志。装有器件的包装箱允许用汽车、火车、运输。运输中应避免雨、雪的直接淋袭和机械撞击。9使用注意事项9.1器件的最大额定值是指对器件能够安全使用的工作条件和环境条件的极限值。器件使用时，无论条件怎样恶劣，都不允许超过或瞬时超过规定的极限值。9.2为了有利于提高器件工作的可靠性，应考虑对器件的最大额定值参数进行降额使用或者选用最大额定值参数更高的器件。9.3最大脉冲功率PPR随温度负荷曲线如图2所示。9\nDB52/T860—2013PPR(W)100%TA(℃)0255075100125150图2温度负荷曲线10\nDB52/T860—2013AA附录A（规范性附录）最大箝位电压VCmax的测试方法A.1目的本测试的目的是为了在规定条件下确定瞬态电压抑制二极管的箝位电压是否符合规范的规定。A.2电路图测试电路图见图A1、波形电路图见A2。IPP0.9IPPRD1VSVC0.5IPPG0.1IPPRa0t10μstr1000μstp图A.1图A.1箝位电压测试电路图图A.2脉冲电流波形（指数波）A.3电路说明和要求G—脉冲发生器；R—偏置电流调节器；D—被测瞬变电压抑制二极管；VC—峰值电压表；Ra—电流IP的取样电阻；VS—偏置电压源；D1—隔离二极管。A.4测试步骤a)将环境温度控制到规定条件；b)调节R使偏置电流达到规定值；c)调节G的输出，使其流过二极管的脉冲电流达到规定值；d)合上开关S，使器件反向施加本规范4.4.1中规定的脉冲电流IP，在VC表上读出其峰值电压VCmax。11\nDB52/T860—2013A.5规定条件a)环境温度TA=25℃；b)偏置电流为本规范3.4.2中I（BR）的值；c)IP为指数波形，tr≤10µs时，脉冲电流达到IPP的100%，而在tp=1ms（﹢10%，0）时应下降到IPP的50%，波形见图A2。_________________________________12\n\nDB52/T860-2013